Welches Prinzip des Schreibens und Löschens von Daten im Flash-Speicher ist richtig?

Antwort: C. Elektronen werden in das Floating Gate oder die Ladungsfallenschicht eingebracht bzw. entfernt, wodurch sich die Schwellenspannung des Transistors ändert

Eine Flash-Zelle ist ein Transistor mit einem Floating Gate (oder einer Ladungsfallenschicht) unter dem Gate, in dem Elektronen gespeichert werden. Werden Elektronen mit hoher Spannung z. B. durch Tunnelstrom ein- und ausgebracht, ändert sich die Schwellenspannung, und anhand dieses Unterschieds werden 0 und 1 unterschieden. Da die Elektronen von einer nur wenige nm dicken Isolierschicht umgeben sind, bleiben sie auch ohne Versorgung etwa 10 Jahre erhalten. Beim Lesen wird eine bestimmte Spannung an das Gate gelegt und beobachtet, ob Strom fließt.