Quel défaut croît lors de l’oxydation thermique par injection dans le silicium de silicium interstitiel excédentaire produit par l’oxydation ?

Réponse : B. Défaut d’empilement induit par oxydation (OSF)

Lors de l’oxydation du silicium, tous les atomes de silicium ne sont pas incorporés dans l’oxyde ; une partie (environ 1 sur 1000) est émise dans le substrat sous forme de silicium interstitiel. Ces atomes s’agrègent sur des germes comme une contamination métallique ou des précipités d’oxygène et croissent en défauts d’empilement sur les plans {111} : ce sont les défauts d’empilement induits par oxydation (OSF), qui provoquent des courants de fuite lorsqu’ils traversent une jonction. On les réduit par oxydation chlorée et par l’amélioration de la qualité cristalline des plaquettes.