Oxidation und Diffusion

Welcher Defekt entsteht bei der thermischen Oxidation, wenn durch die Oxidation überschüssiges Zwischengitter-Silizium in das Silizium injiziert wird und wächst?

  1. ACOP
  2. BOxidationsinduzierter Stapelfehler (OSF)
  3. CHillock
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Oxidationsinduzierter Stapelfehler (OSF)

Bei der Oxidation von Silizium werden nicht alle Siliziumatome in den Oxidfilm aufgenommen; ein Teil (etwa jedes tausendste) wird als Zwischengitter-Silizium in das Substrat abgegeben. Sammelt es sich an Keimen wie metallischen Verunreinigungen oder Sauerstoffausscheidungen und wächst als Stapelfehler auf {111}-Ebenen, entsteht ein oxidationsinduzierter Stapelfehler (OSF), der bei Durchquerung eines Übergangs Leckstrom verursacht. Er lässt sich durch Chloroxidation und eine bessere Kristallqualität der Wafer verringern.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Oxidation und Diffusion

  1. Was geschieht mit der in gleicher Zeit erzielten Oxiddicke, wenn die Temperatur der thermischen Oxidation erhöht wird?
  2. Wie heißt bei LOCOS das Phänomen, dass Oxid wie ein Vogelschnabel unter den Rand der Nitridmaske eindringt?
  3. Welchen Vorteil hat die thermische Oxidation in oxidierender Atmosphäre unter hohem Druck?
  4. Welche Aussage zu Merkmalen der Radikaloxidation mit Sauerstoffradikalen ist richtig?
  5. Wo schreitet die thermische Oxidation nach dem Deal-Grove-Modell voran?