Oxidation und Diffusion

Welches Verfahren erzeugt in kurzer Zeit einen hochwertigen dünnen Oxidfilm, indem Wasserstoff und Sauerstoff nahe der Waferoberfläche zur Reaktion gebracht werden?

  1. ASputtern
  2. BISSG-Oxidation (In-situ Steam Generation)
  3. CAtomlagenätzen
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Antwort: B. ISSG-Oxidation (In-situ Steam Generation)

Bei der ISSG-Oxidation werden in einer Kammer bei einem verminderten Druck von etwa 1000 Pa kleine Mengen Wasserstoff und Sauerstoff nur in der Nähe der Oberfläche des erhitzten Wafers zur Reaktion gebracht. Die entstehenden Sauerstoffradikale (O) sind sehr reaktiv und bilden in kurzer Zeit einen dichten dünnen Oxidfilm mit guter Grenzfläche. Der Geschwindigkeitsunterschied zwischen Orientierungen ist gering, und auch die Ecken von STI-Gräben werden abgerundet und gleichmäßig oxidiert, sodass das Verfahren für Liner-Oxide, Gateoxide und die Reoxidation von Nitridfilmen verwendet wird.

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