Lithografie

Wie heißt bei EUV-Masken das Phänomen, bei dem die Dicke des Absorbermusters im Vergleich zur Wellenlänge nicht vernachlässigbar ist und schräg einfallendes Licht z. B. Schatten wirft und das Bild beeinflusst?

  1. ABlooming
  2. BMask-3D-Effekt
  3. CLoading-Effekt
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Antwort: B. Mask-3D-Effekt

Die EUV-Maske ist reflektierend, und das Licht fällt um etwa 6° geneigt ein. Da der Absorber mit 50 bis 70 nm dicker als die Wellenlänge von 13,5 nm ist, werfen die Absorberflanken Schatten oder verändern die Phase; je nach Strukturrichtung verschieben sich Maße und Positionen, und auch die beste Fokuslage hängt von der Struktur ab (Mask-3D-Effekt). Dem begegnet man mit Absorbermaterialien, die hoch absorbieren und dünn sein können, der Entwicklung phasenschiebender EUV-Masken und Korrekturen per OPC.

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