Lithografie

Welche Kenngröße beschreibt die Unebenheiten im Nanometerbereich an den Flanken feiner Resiststrukturen?

  1. ASchärfentiefe (DOF)
  2. BNumerische Apertur (NA)
  3. CLinienkantenrauheit (LER)
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Antwort: C. Linienkantenrauheit (LER)

LER ist eine Kenngröße für die Größe der Unebenheit der Strukturflanken (üblicherweise als 3σ angegeben); die als Streuung der Linienbreite ausgedrückte Größe heißt LWR. Bei Linienbreiten um 20 nm übersteigt schon eine Unebenheit von 2 bis 3 nm 10 % der Linienbreite und verursacht Streuungen von Einsatzspannung und Leitbahnwiderstand. Ursachen sind die Molekülgröße des Resists, Säurediffusion und statistische Schwankungen der Photonenzahl; verbessert wird sie z. B. durch Glättung beim Ätzen.

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