Wie heißt das Phänomen, dass bei geneigter Implantation Bereiche im Schatten hoher Strukturen wie Lack nicht implantiert werden?

Antwort: C. Shadowing (Abschattung)

Wird der Wafer zur Channeling-Unterdrückung oder für die Halo-Implantation geneigt implantiert, erreichen die Ionen Bereiche im Schatten hoher Lack- oder Gatestrukturen nicht (Shadowing). Der implantierte Bereich wird links und rechts asymmetrisch, was dazu führt, dass sich die Transistoreigenschaften auf Source- und Drainseite unterscheiden. Daher werden Maßnahmen wie die Implantation aus vier Richtungen durch Drehen des Wafers um jeweils 90° (Quad-Mode) sowie ein Entwurf von Lackhöhe und Neigungswinkel getroffen.