離子佈植
在離子佈植中,主要決定雜質被打入深度(射程)的參數是下列何者?
- A加速能量
- B劑量
- C佈植後的清洗時間
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正確答案:A. 加速能量
佈植的深度主要由離子的加速能量決定,能量越高,打入越深。作為參考,將硼以10 keV佈植到矽中約為30~40 nm,100 keV則約為0.3 µm。相同能量下,越輕的離子打入越深,因此離子的種類也會影響深度。劑量是單位面積的離子數,決定濃度,可與深度各自獨立設定,這正是離子佈植的優勢。
離子佈植
正確答案:A. 加速能量
佈植的深度主要由離子的加速能量決定,能量越高,打入越深。作為參考,將硼以10 keV佈植到矽中約為30~40 nm,100 keV則約為0.3 µm。相同能量下,越輕的離子打入越深,因此離子的種類也會影響深度。劑量是單位面積的離子數,決定濃度,可與深度各自獨立設定,這正是離子佈植的優勢。