Wat is de belangrijkste reden waarom III-V-samengestelde halfgeleiders zoals InGaAs zijn onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige nMOS?

Antwoord: B. Omdat de elektronenmobiliteit veel groter is dan die van silicium

III-V-samengestelde halfgeleiders zoals InGaAs hebben een elektronenmobiliteit die enkele keren zo groot is als die van silicium of meer, en men verwachtte dat een grote stroom ook bij lage spanning zou kunnen vloeien. Uitdagingen zijn echter defecten bij kristalgroei op siliciumsubstraten, de moeilijkheid een goed grensvlak met de gate-isolator te maken, de kleine toestandsdichtheid waardoor de werkelijke lading moeilijk toeneemt, de lage mobiliteit van gaten en de kosten, zodat massaproductie voor logica niet is bereikt.