Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Was ist die Hauptaufgabe der Isolatoren (Inner Spacer) zwischen Gate und Source/Drain im Bereich zwischen den Sheets beim Nanosheet-GAA?

  1. ADie parasitäre Kapazität zwischen Gate und Source/Drain zu verringern und Kurzschlüsse zu verhindern
  2. BDen Kanal zum Leuchten zu bringen
  3. CDen Strom zu verstärken
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Antwort: A. Die parasitäre Kapazität zwischen Gate und Source/Drain zu verringern und Kurzschlüsse zu verhindern

Beim Nanosheet-GAA dringt das Gate in die Spalte zwischen den Sheets ein und liegt Source und Drain in nur wenigen nm Abstand gegenüber. Der Inner Spacer ist ein Isolator wie ein Nitrid, der in den Raum eingebracht wird, der entsteht, wenn die Enden des SiGe etwas zurückgeätzt (Recess) werden; er verringert die parasitäre Kapazität zwischen Gate und Source/Drain und verhindert Kurzschlüsse. Er dient zugleich als Ätzstopp, der Source und Drain beim Entfernen des SiGe schützt.

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