Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Wat is een van de belangrijkste middelen om bij high-k/metal-gate-transistoren de drempelspanning in te stellen?

  1. ADe werkfunctie kiezen van het metaal dat voor de gate-elektrode wordt gebruikt
  2. BDe diameter van de wafer veranderen
  3. CHet materiaal van de behuizing veranderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De werkfunctie kiezen van het metaal dat voor de gate-elektrode wordt gebruikt

Bij een metal gate verandert de werkfunctie van het metaal van de gate-elektrode de vlakkebandspanning en bepaalt zo de drempelspanning. Voor nMOS is een werkfunctie dicht bij de geleidingsband (circa 4,1 eV, bijvoorbeeld TiAl) geschikt en voor pMOS een werkfunctie dicht bij de valentieband (circa 5,1 eV, bijvoorbeeld TiN). Door de combinatie en dikte van metaallagen van enkele nm te variëren, worden meerdere drempelspanningen gemaakt, bijvoorbeeld voor hoge snelheid of lage lekstroom.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement metal gate) is juist?
  2. Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de drempelspanning spreidt door statistische variatie in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal?
  4. Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opzichte van FinFET's is juist?
  5. Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp