Nederlands
Menu

Etsen

Welke uitspraak over de verhouding tussen het aantal ionen en radicalen in een gangbaar plasma voor etsen is juist?

  1. AZe zijn altijd even talrijk
  2. BRadicalen zijn veel talrijker dan ionen
  3. CIonen zijn veel talrijker dan radicalen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Radicalen zijn veel talrijker dan ionen

In een plasma treedt dissociatie van moleculen tot radicalen, die minder energie vereist, gemakkelijker op dan ionisatie tot ionen, en radicalen hebben geen lading, worden dus niet naar de wand aangetrokken en leven langer. De dichtheid van radicalen is daarom doorgaans 2 tot 3 ordes van grootte of meer hoger dan die van ionen. De rolverdeling is dat radicalen de hoofdrol in de chemische reactie spelen, terwijl de minder talrijke ionen de reactie door bombardement bevorderen en de richting bepalen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke methode meet de elektronentemperatuur en dichtheid van een plasma uit de stroom bij variatie van de spanning op een dunne elektrode die in het plasma wordt gestoken?
  2. Hoe heet de vormafwijking bij droog etsen waarbij op de bodem van een sleuf bij de zijwand dieper wordt geëtst dan in het midden, zodat een smalle sleuf ontstaat?
  3. Als silicium tegelijk wordt blootgesteld aan XeF2-gas en een bundel argonionen, verloopt het etsen veel sneller dan de som van beide afzonderlijk. Welke eigenschap van droog etsen toont dit aan?
  4. Welk verschijnsel treedt op bij plasma-etsen van patronen met hoge aspectverhouding, waarbij elektronen door de zijwand worden tegengehouden, zodat negatieve lading zich ophoopt in het bovenste deel van het patroon en positieve ionen op de bodem worden afgebogen, wat vormafwijkingen en schade veroorzaakt?
  5. Welke etsmethode in onderzoeksfase neutraliseert in plasma gevormde ionen voordat ze de wafer raken, om schade door lading en ultraviolet licht te onderdrukken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp