Etsen

Hoe dik is de film die wordt weggeëtst als 3 minuten wordt geëtst bij een etssnelheid van 100 nm/min?

  1. ACirca 3.000 nm
  2. BCirca 33 nm
  3. CCirca 300 nm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Circa 300 nm

De weggeëtste dikte is 'etssnelheid × tijd', dus 100 nm/min × 3 min = 300 nm. In werkelijkheid wordt, rekening houdend met spreiding in laagdikte en etssnelheid, na detectie van het eindpunt nog wat extra geëtst (overetsen). Omgekeerd geldt dat voor het etsen van een film van 500 nm 5 minuten nodig zijn, en met 20% overetsen circa 6 minuten. In de apparatuur worden deze tijd en eindpuntdetectie gecombineerd beheerst.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Hoe verandert de etssnelheid bij nat etsen in het algemeen wanneer de temperatuur van de chemische oplossing wordt verhoogd?
  2. Hoe heet het verschijnsel dat in bijvoorbeeld capacitief gekoppelde plasmaapparatuur de elektrode aan de waferzijde vanzelf een negatieve gelijkspanningspotentiaal krijgt en ionen naar de wafer versnelt?
  3. Hoe heet de maskermethode waarbij voor het diep bewerken van fijne patronen van onder naar boven een organische film (koolstoffilm), een siliciumhoudende tussenfilm en resist als drie lagen worden gestapeld?
  4. Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?
  5. Welke methode maakt het door belichting gevormde resistpatroon met plasma stapsgewijs dunner om lijnen te maken die smaller zijn dan de belichtingslimiet?

Vergelijkingen bij dit onderwerp