Etsen

Welke uitspraak over het bij droog etsen gebruikte 'plasma' is juist?

  1. AEen zeer koude vloeistof
  2. BEen toestand van een gas waarin elektronen, ionen, radicalen e.d. door ionisatie gemengd voorkomen
  3. CEen vast metaal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Een toestand van een gas waarin elektronen, ionen, radicalen e.d. door ionisatie gemengd voorkomen

Plasma is een toestand waarin door het toevoegen van bijvoorbeeld hoogfrequent vermogen aan een gas elektronen worden versneld en atomen en moleculen worden geïoniseerd, zodat elektronen, ionen, sterk reactieve radicalen en neutrale moleculen door elkaar voorkomen. Het wordt ook de 'vierde toestand' na vast, vloeibaar en gas genoemd. Het plasma in etsapparatuur is een 'koud plasma' waarvan de ionisatiegraad met circa 0,01% of minder laag is en waarin de gastemperatuur laag blijft terwijl alleen de elektronen een energie hebben die overeenkomt met enkele tienduizenden °C.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Hoe dik is de film die wordt weggeëtst als 3 minuten wordt geëtst bij een etssnelheid van 100 nm/min?
  2. Hoe verandert de etssnelheid bij nat etsen in het algemeen wanneer de temperatuur van de chemische oplossing wordt verhoogd?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat in bijvoorbeeld capacitief gekoppelde plasmaapparatuur de elektrode aan de waferzijde vanzelf een negatieve gelijkspanningspotentiaal krijgt en ionen naar de wafer versnelt?
  4. Hoe heet de maskermethode waarbij voor het diep bewerken van fijne patronen van onder naar boven een organische film (koolstoffilm), een siliciumhoudende tussenfilm en resist als drie lagen worden gestapeld?
  5. Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?

Vergelijkingen bij dit onderwerp