Welke uitspraak over de kenmerken van etsapparatuur van het type inductief gekoppeld plasma (ICP) is juist?

Antwoord: B. Met een spoel wordt een plasma met hoge dichtheid opgewekt, waarbij plasmadichtheid en ionenenergie gemakkelijk afzonderlijk te regelen zijn

Bij het ICP-type wordt met een inductief elektrisch veld, opgewekt door hoogfrequent vermogen door een spoel boven of rond de kamer, een plasma met een hoge dichtheid van 10¹¹ tot 10¹² cm⁻³ opgewekt, en aan de waferzijde wordt met een aparte hoogfrequente voeding een bias aangelegd. De plasmadichtheid (hoeveelheid radicalen en ionen) en de energie van de ionen die op de wafer vallen zijn gemakkelijk onafhankelijk in te stellen, en bij lage druk van enkele Pa of minder is snel en sterk anisotroop etsen mogelijk, zodat het veel wordt gebruikt voor het etsen van silicium en metalen.