Etsen
Welk mechanisme waarmee bij droog etsen anisotropie wordt verkregen is juist?
- AEen op de zijwanden afgezette beschermende film voorkomt zijwaarts etsen, terwijl op de bodem de beschermende film door ionenbombardement wordt verwijderd en het etsen voortgaat
- BAlleen de zijwanden lossen snel op
- CDe chemische oplossing reageert gelijkmatig in alle richtingen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Een op de zijwanden afgezette beschermende film voorkomt zijwaarts etsen, terwijl op de bodem de beschermende film door ionenbombardement wordt verwijderd en het etsen voortgaat
Bij droog etsen hecht polymeer afkomstig van gassen zoals fluorkoolstoffen of van reactieproducten aan de zijwanden en voorkomt zo zijwaarts etsen. Op de bodem vallen de ionen loodrecht in, waardoor de beschermende film wordt verwijderd en het etsen voortgaat. Bij te veel beschermende film wordt het gat taps (tapered) en bij te weinig wordt het zijwaarts breder (bowing), dus de balans wordt met gassamenstelling en temperatuur ingesteld om een verticale vorm te maken.