Etsen

Welke uitspraak over de kenmerken van atoomlaagetsen (ALE) is juist?

  1. AMet één bewerking wordt enkele µm snel weggeëtst
  2. BOppervlaktemodificatie en verwijdering worden afwisselend herhaald, waardoor de etshoeveelheid op atoomlaagniveau wordt geregeld
  3. CHet is isotroop nat etsen met een chemische oplossing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Oppervlaktemodificatie en verwijdering worden afwisselend herhaald, waardoor de etshoeveelheid op atoomlaagniveau wordt geregeld

Bij ALE wordt een zelflimiterend proces herhaald waarin eerst alleen de bovenste laag van het oppervlak wordt gemodificeerd, bijvoorbeeld door adsorptie van chloor, en vervolgens alleen die laag wordt verwijderd, bijvoorbeeld met ionen van lage energie. De hoeveelheid die per cyclus wordt weggeëtst is constant, circa 0,1 tot 0,5 nm, zodat de regeling op atoomlaagniveau nauwkeurig is, de schade aan het oppervlak klein blijft en ook het snelheidsverschil tussen dichte en open patronen klein is. ALE is het etsequivalent van ALD en begint te worden toegepast bij de bewerking van GAA en het gate-gebied.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welk mechanisme waarmee bij droog etsen anisotropie wordt verkregen is juist?
  2. Welke chemische oplossing wordt over het algemeen gebruikt voor het nat etsen van siliciumnitridefilms?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij plasma-etsen een geleider zoals een lange bedrading als antenne fungeert, lading verzamelt en daarmee het aangesloten gateoxide beschadigt?
  4. Welke uitspraak over de kenmerken van nat etsen van silicium met een waterige oplossing van kaliumhydroxide (KOH) is juist?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van etsapparatuur van het type inductief gekoppeld plasma (ICP) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp