식각

원자층 식각(ALE)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A1회 처리로 수 µm를 고속으로 식각한다
  2. B표면의 개질과 제거를 번갈아 반복하여 원자층 수준으로 식각량을 제어한다
  3. C약액을 사용한 등방적인 습식 식각이다
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정답: B. 표면의 개질과 제거를 번갈아 반복하여 원자층 수준으로 식각량을 제어한다

ALE는 먼저 표면의 1층만을 염소 흡착 등으로 반응시켜 개질하고, 다음으로 저에너지 이온 등으로 그 층만 제거하는 자기 제한적 공정을 반복합니다. 1사이클에 깎이는 양이 약 0.1~0.5 nm로 일정하므로 원자층 수준으로 정밀하게 제어할 수 있고, 표면 손상도 작으며 패턴의 조밀도에 따른 속도 차이도 작아집니다. ALD의 식각 버전이라 할 수 있으며, GAA나 게이트 주변 가공에서 사용되기 시작했습니다.

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