에피택셜 성장
에피택셜 성장 중에 불순물을 첨가하는 방법이 열확산과 비교해 유리한 점으로 올바른 것은?
- A반드시 저렴하다
- B깊이 방향으로 가파른 농도 변화를 만들기 쉽다
- C농도를 균일하게 할 수 없다
정답과 해설 보기
정답: B. 깊이 방향으로 가파른 농도 변화를 만들기 쉽다
열확산에서는 불순물이 표면에서 내부로 퍼지므로, 농도가 표면에서 가장 높고 완만하게 줄어드는 분포밖에 만들 수 없습니다. 에피택셜 성장에서는 성장 중에 첨가하는 가스의 양을 전환하여 층마다 농도를 바꿀 수 있어, 수 nm 이내의 가파른 변화, 내부에 고농도층을 매립한 구조, 표면이 저농도이고 내부가 고농도인 역분포도 만들 수 있습니다. HBT의 베이스나 파워 디바이스의 다층 구조에 빼놓을 수 없습니다.