Welcher Vorteil der Dotierung während des epitaktischen Wachstums gegenüber der thermischen Diffusion ist richtig?

Antwort: B. Steile Konzentrationsänderungen in der Tiefe lassen sich leicht erzeugen

Bei der thermischen Diffusion breiten sich Dotierstoffe von der Oberfläche ins Innere aus, sodass nur Profile entstehen können, bei denen die Konzentration an der Oberfläche am höchsten ist und allmählich abfällt. Beim epitaktischen Wachstum lässt sich die Konzentration schichtweise durch Umschalten der Menge des zugegebenen Gases ändern; es sind steile Änderungen innerhalb weniger nm, Strukturen mit eingebetteten hochdotierten Schichten und auch das umgekehrte Profil mit niedriger Konzentration an der Oberfläche und hoher im Inneren möglich. Das ist unverzichtbar für die Basis von HBTs und Mehrschichtstrukturen von Leistungsbauelementen.