Epitaxie

Welcher typische Kristalldefekt in Epischichten ist eine Störung der Stapelfolge der Atomebenen?

  1. AVoid
  2. BHillock
  3. CStapelfehler (Stacking Fault)
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. Stapelfehler (Stacking Fault)

Ein Stapelfehler ist ein Defekt, bei dem die Stapelfolge der Atomebenen des Kristalls (bei Silizium auf den {111}-Ebenen ABCABC…) lokal gestört ist. Beim epitaktischen Wachstum entsteht er ausgehend von Verunreinigungen, Partikeln oder Kratzern auf der Substratoberfläche und erscheint an der Oberfläche als dreieckiges oder viereckiges Muster, sodass er optisch inspiziert und gezählt werden kann. Da er Ursache von Leckströmen in Bauelementen ist, sind Reinigung vor dem Wachstum und Oberflächenbehandlung durch Wasserstoff-Bake wichtig.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Epitaxie

  1. Wie heißt die Technik, bei der z. B. bei GaN der Kristall aus Maskenöffnungen wächst und sich seitlich über die Maske ausbreitet, um Versetzungen zu verringern?
  2. Welches Verfahren lässt Kristalle auf einem Substrat aus einer Lösung, z. B. aus geschmolzenem Metall, auskristallisieren und aufwachsen?
  3. Welcher Wert kommt der üblichen Wachstumstemperatur beim epitaktischen Wachstum von Silizium mit Trichlorsilan am nächsten?
  4. Welche Verspannung entsteht in einer dünnen Siliziumschicht, die epitaktisch auf einer relaxierten SiGe-Schicht mit größerer Gitterkonstante aufgewachsen wird?
  5. Welche Punkte werden hauptsächlich als Qualität von Epitaxiewafern kontrolliert?