에피택셜 성장

실리콘의 에피택셜 성장에서 원료로 사용되는 가스는?

  1. A아르곤만
  2. B트리클로로실란(SiHCl3)이나 다이클로로실란(SiH2Cl2)
  3. C산소
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정답: B. 트리클로로실란(SiHCl3)이나 다이클로로실란(SiH2Cl2)

실리콘의 에피택셜 성장에는 트리클로로실란, 다이클로로실란, 실란 등 실리콘을 포함한 가스를 수소와 함께 사용합니다. 고온에서 분해·환원되어 실리콘이 기판 위에 석출되며, 예를 들어 SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl 반응이 일어납니다. 염소를 포함한 원료일수록 높은 온도가 필요하지만, HCl이 산화막 위의 석출을 억제하므로 선택 성장에 적합합니다. 도핑에는 포스핀이나 다이보레인을 추가합니다.

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