CMP und Reinigung
Warum ist es wichtig, den Wafer unmittelbar nach dem CMP nass, ohne Trocknen, zum Reinigungsprozess zu transportieren?
- AUm das Gewicht des Wafers zu halten
- BUm den Wafer zu kühlen
- CWeil auf der Oberfläche verbliebene Slurry-Partikel und Chemikalien beim Antrocknen festhaften und sich bei der späteren Reinigung schwer entfernen lassen
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Antwort: C. Weil auf der Oberfläche verbliebene Slurry-Partikel und Chemikalien beim Antrocknen festhaften und sich bei der späteren Reinigung schwer entfernen lassen
Nach dem Polieren verbleiben Slurry-Partikel und Reaktionsprodukte auf der Oberfläche. Trocknen sie ein, bilden sich chemische Bindungen zwischen Partikeln und Oberfläche, sie haften fest und lassen sich durch Reinigung nur schwer entfernen, was zu Defekten führt. Zudem korrodiert die Kupferoberfläche beim Trocknen leicht. Daher sind CMP-Anlage und Reinigungsteil integriert, und die Standardkonfiguration ist „Dry-in/Dry-out“, bei der der Wafer nass kontinuierlich bis zu Reinigung und Trocknung weiterverarbeitet wird.