CMP und Reinigung

Was ist die Hauptursache für feine Kratzer (Scratches) auf der Waferoberfläche beim CMP?

  1. ADass der Polierdruck auf 0 gesetzt wurde
  2. BDass die Temperatur der Reinigungsflüssigkeit niedrig ist
  3. CAgglomerierte große Partikel im Slurry oder auf dem Pad verbliebene Fremdkörper
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Antwort: C. Agglomerierte große Partikel im Slurry oder auf dem Pad verbliebene Fremdkörper

Agglomerieren die Schleifpartikel im Slurry durch Trocknung oder Temperatur- und pH-Änderungen zu Klumpen von einigen µm oder bleiben harte Fremdkörper oder Diamantsplitter des Conditioners auf dem Pad, zerkratzen sie die Waferoberfläche und es entstehen Scratches. Sie verursachen Kurzschlüsse oder Unterbrechungen zwischen Kupferleitbahnen; Low-k-Filme sind besonders kratzempfindlich. Vorgebeugt wird durch Filtration, Umwälzung und Temperaturkontrolle des Slurrys, Pad-Konditionierung und Optimierung des Polierdrucks.

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