Fortgeschrittene Technologien (3D-Integration, Chiplets)

Welche Technik wird verwendet, um beim Bearbeiten von auf einige zehn µm gedünnten TSV-Wafern Bruch und Verwölbung zu verhindern, indem sie vorübergehend auf einen Trägerwafer (Carrier) geklebt werden?

  1. ADrahtbonden
  2. BTemporäres Bonden und Debonden (Temporary Bonding/Debonding)
  3. CReflow
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Temporäres Bonden und Debonden (Temporary Bonding/Debonding)

Auf einige zehn µm gedünnte Wafer brechen so leicht und verwölben sich stark. Daher werden sie per Klebstoff o. Ä. vorübergehend auf einen Träger-Glas- oder -Siliziumwafer geklebt (temporäres Bonden), Rückseitenschleifen und Leiterbahnherstellung werden ausgeführt, und anschließend wird per Laser, Erwärmung oder mechanisch abgelöst (Debonden). Bei einem Glasträger kann der Laser durch das Glas treten und nur die Klebeschicht zersetzen. Es ist eine Schlüsseltechnik für den sicheren Umgang mit dünnen Wafern.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Fortgeschrittene Technologien (3D-Integration, Chiplets)

  1. Wie wird beim Fan-out-Wafer-Level-Packaging das waferförmige Gebilde genannt, bei dem vereinzelte Chips mit Abstand auf einem Träger angeordnet und mit Harz zu einem neuen Wafer vergossen werden?
  2. Welche Aussage zu Herausforderungen der Chiplet-Aufteilung ist richtig?
  3. Was ist das Hauptziel von Produkten, bei denen ein SRAM-Chip als Cache per Hybrid Bonding auf den Prozessorchip gestapelt wird?
  4. Mit welchem Verfahren werden Silizium-Interposer hergestellt, die größer sind als der maximal auf einmal belichtbare Bereich des Scanners (etwa 26 mm × 33 mm)?
  5. Welche Erklärung des Mechanismus, wie sich beim Hybrid Bonding mit Kupfer und Isolierschicht die Kupferelektroden miteinander verbinden, ist richtig?

Vergleiche zu diesem Thema