Nederlands
Menu

Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

Welke methode wordt gebruikt om een silicium-interposer te maken die groter is dan het maximale gebied dat een belichtingsapparaat in één keer kan belichten (circa 26 mm × 33 mm)?

  1. ABelichten met aan de randen van meerdere shots aan elkaar gekoppelde bedrading (stitching)
  2. BDe lens van het belichtingsapparaat vergroten
  3. CDe interposer met wire bonding koppelen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Belichten met aan de randen van meerdere shots aan elkaar gekoppelde bedrading (stitching)

Het gebied van één belichtingsshot (reticle size) is beperkt tot circa 26 mm × 33 mm (circa 858 mm²). Voor AI-packages met een GPU en veel HBM's is een interposer van meerdere malen deze afmeting nodig. Interposers groter dan de reticle size worden daarom gemaakt met stitching-belichting, waarbij de bedrading aan de randen van aangrenzende shots nauwkeurig op elkaar wordt aangesloten. Een grotere lens of koppeling met draden is geen oplossing.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

  1. Welke beschrijving van het mechanisme waarmee koperelektroden bij hybrid bonding met koper en isolatiefilm worden gebonden is juist?
  2. Welke methode, ingedeeld naar het moment waarop de TSV wordt gevormd, maakt de TSV nadat de transistoren zijn gevormd maar vóór de multilaag-metallisatie?
  3. Welke combinatie van richtwaarden voor de afstand (pitch) tussen aansluitingen voor chip-tot-chipverbindingen is het meest geschikt?
  4. Hoe heet het probleem dat bij de productie van fan-out wafer-level packages de positie van chips verschuift door het stromen en de krimp bij het uitharden van het hars tijdens het inkapselen van de chips?
  5. Wat is de belangrijkste reden om rond een TSV een gebied zonder transistoren (keep-out zone) aan te houden?

Vergelijkingen bij dit onderwerp