Nederlands
Menu

Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

Welke methode realiseert bedrading met hoge dichtheid door, in plaats van een grote silicium-interposer, alleen op de verbindingsplaats tussen chips een klein stukje silicium in te bedden?

  1. AWire-bondingmethode
  2. BSiliciumbrug-methode
  3. CLeadframe-methode
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Siliciumbrug-methode

Bij de siliciumbrug-methode wordt in het packagesubstraat een klein stukje silicium ingebed dat alleen het verbindingsdeel tussen aangrenzende chips bedekt, en daarin wordt fijne bedrading gemaakt waarmee de chips met hoge dichtheid worden verbonden. Omdat geen grote interposer onder de gehele chip nodig is, kunnen de kosten worden beperkt en zijn ook grotere packages dan het belichtingsveld mogelijk. Intels EMIB is een bekend voorbeeld. Met draden of een leadframe is deze dichtheid niet haalbaar.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

  1. Welk voordeel hebben glassubstraten, die als vervanging van organische materialen worden overwogen als materiaal voor grote packagesubstraten van de volgende generatie?
  2. Hoe heet de techniek waarbij een switch-IC en optische zend- en ontvangstcomponenten dicht bij elkaar in hetzelfde package worden gemonteerd om de elektrische bedrading te verkorten en het vermogensverbruik te verlagen?
  3. Welke vorm van hybrid bonding maakt het mogelijk alleen chips die bij de test als goed zijn beoordeeld te selecteren en op de wafer van de tegenpartij te binden?
  4. Hoe heten de veel kleinere bumps dan gewone soldeerballen die worden gebruikt voor de verbinding tussen met TSV's gestapelde chips of tussen chip en interposer?
  5. Wat is de belangrijkste reden om bij een GPU voor AI de GPU-chip en HBM naast elkaar op één silicium-interposer te monteren?

Vergelijkingen bij dit onderwerp