Quelle approche, au lieu d'un grand interposeur silicium, noie un petit morceau de silicium uniquement à l'endroit des connexions entre puces pour obtenir des interconnexions à haute densité ?

Réponse : B. Pont en silicium

L'approche par pont en silicium noie dans le substrat du boîtier un petit morceau de silicium couvrant uniquement la zone de connexion entre puces adjacentes ; des pistes fines y sont réalisées pour interconnecter les puces à haute densité. Comme un grand interposeur placé sous l'ensemble des puces n'est plus nécessaire, le coût est contenu et des assemblages plus grands que le champ d'exposition deviennent possibles. L'EMIB d'Intel en est l'exemple type. Les fils ou les grilles de connexion n'atteignent pas cette densité.