CZ법에서 결정의 인상 속도와 결정 내 온도 구배의 비(V/G)를 제어하는 주된 목적은 무엇인가?

정답: A. 결정에 유입되는 점결함(공공이나 격자간 실리콘)의 종류와 양을 제어하여 결정 결함을 줄인다

인상 속도 V와 계면 부근의 온도 구배 G의 비에 따라 결정에 과잉으로 유입되는 점결함이 공공이 될지 격자간 실리콘이 될지가 결정됩니다. V/G가 크면 공공이 남아 모여서 미세한 공동(COP)이 되고, 작으면 격자간 실리콘이 남아 전위 루프가 됩니다. 양쪽이 정확히 균형을 이루는 좁은 조건에서 인상하면 어느 쪽 결함도 거의 없는 결정(완전 결정, 퍼펙트 실리콘)을 얻을 수 있습니다.