붕소를 포함한 실리콘을 열산화할 때, 계면 부근 실리콘 쪽의 붕소 농도는 어떻게 되는 경향이 있습니까?

정답: A. 붕소가 산화막 쪽으로 잘 흡수되므로 낮아진다

불순물은 실리콘과 SiO2의 경계에서 양쪽 농도의 비(편석 계수 m = 실리콘 내/SiO2 내)가 정해져 있습니다. 붕소는 m ≈ 0.3으로 산화막에 잘 흡수되므로 실리콘 쪽 표면 부근의 농도가 낮아집니다(파일다운). 인이나 비소는 m ≈ 10으로 산화막에 잘 들어가지 않고 실리콘 쪽으로 밀려나 계면 부근의 농도가 높아집니다(파일업). 문턱 전압이나 채널의 농도 설계에서 고려됩니다.