첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

미세한 트랜지스터에서 채널 속 불순물 원자의 수나 위치의 통계적인 편차 때문에 문턱 전압이 흩어지는 현상을 무엇이라고 하는가?

  1. A랜덤 도펀트 요동(RDF)
  2. B일렉트로마이그레이션
  3. C경시 절연 파괴(TDDB)
정답과 해설 보기

정답: A. 랜덤 도펀트 요동(RDF)

트랜지스터가 작아지면 채널 속 불순물 원자는 수십~수백 개 정도가 되고, 그 수나 배치의 우연한 편차로 문턱 전압이 수십 mV나 흩어집니다. 편차는 대략 「1/√(게이트 면적)」에 비례하며(펠그롬의 법칙), SRAM처럼 최소 치수의 소자를 다수 사용하는 회로에서 특히 문제가 됩니다. 채널을 무도핑으로 할 수 있는 FinFET이나 FD-SOI는 이 점에서도 유리합니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)의 다른 문제

  1. FinFET과 비교했을 때 나노시트형 GAA 트랜지스터의 설계상 장점으로 올바른 것은?
  2. FinFET의 가는 핀을 만드는 데 사용되는, 측벽 스페이서를 이용해 리소그래피 한계보다 미세한 패턴을 만드는 기술은?
  3. 나노시트형 GAA 트랜지스터 제조에서 Si와 SiGe를 번갈아 쌓은 층에서 SiGe층만 선택적으로 제거하는 이유로 올바른 것은?
  4. FinFET이나 SOI 트랜지스터에서 문제가 되기 쉬운 자기 발열의 원인으로 올바른 것은?
  5. 미세화가 진행된 트랜지스터에서 성능을 제한하는 요인으로 중요성이 커지고 있는 것은?

이 분야의 비교