에피택셜 성장

MBE(분자선 에피택시)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A대기압에서 두꺼운 막을 빠르게 성장시킨다
  2. B초고진공에서 원료를 분자선으로 기판에 공급하여 막 두께와 조성을 원자층 수준으로 정밀하게 제어할 수 있다
  3. C액체 원료에 웨이퍼를 담가 성장시킨다
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정답: B. 초고진공에서 원료를 분자선으로 기판에 공급하여 막 두께와 조성을 원자층 수준으로 정밀하게 제어할 수 있다

MBE는 10⁻⁸ Pa 정도의 초고진공 장치 안에서 원료를 가열해 분자(원자)의 빔으로 기판에 쏘아 결정을 성장시키는 방법입니다. 셔터를 여닫아 원료를 순간적으로 전환할 수 있고, RHEED로 성장 모습을 실시간으로 관찰하면서 원자층 단위로 막 두께와 조성을 제어할 수 있습니다. 성장 속도가 시간당 1 µm 정도로 느려 양산성은 MOCVD에 뒤지지만, 연구 개발이나 고성능 HEMT, 양자 소자에 사용됩니다.

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