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Créer une série de questions

Créez un quiz pour une classe, un groupe de TP ou la formation de nouveaux collaborateurs : choisissez les thèmes et le nombre de questions, puis partagez le lien. Toutes les personnes qui l’ouvrent reçoivent les mêmes questions, avec des explications complètes. Aucune inscription requise.

Contenu de la série

Thèmes

Comment ça marche

Cochez les thèmes, choisissez le nombre de questions et cliquez sur « Créer le lien ». Les questions sont réparties de façon équilibrée entre les thèmes sélectionnés. Si vous saisissez un nom de série, il s’affiche comme titre sur l’écran du quiz. Partagez le lien via votre plateforme d’apprentissage (ENT, LMS), par e-mail ou par messagerie ; le même lien donne toujours les mêmes questions.

Notes et confidentialité

Le site n’utilise ni comptes ni base de données. Les résultats sont enregistrés uniquement dans le navigateur de la personne qui répond au quiz. Si vous devez recueillir les scores, demandez aux élèves de remettre une capture d’écran de la page de résultats ou leur score, selon ce qui convient le mieux à votre cours.

Questions fréquentes

Le créateur de quiz est-il gratuit ?

Oui. Il est gratuit, ne nécessite aucune inscription, et les liens que vous créez n’expirent pas.

Tous les élèves reçoivent-ils les mêmes questions ?

Oui, toutes les personnes qui ouvrent le même lien reçoivent les mêmes questions. L’ordre des choix de réponse est mélangé à chaque fois, pour que les réponses ne puissent pas simplement circuler.

Calculateurs pour semi-conducteurs

Calculateur de dies par wafer et de rendementPuces par plaquette, rendement (Poisson, Murphy, binomiale négative) et coût par puce bonne, avec carte de plaquetteCalculateur de résolution et de profondeur de foyer en lithographieRésolution (demi-pas), profondeur de foyer et découpage du pas à partir de λ, NA et k1Calculateur de timing setup et holdMarges (slack) de setup et de hold et fréquence d'horloge maximale d'un chemin bascule à basculeCaractéristiques I-V du MOSFET (ID–VDS)Modifiez Vth, W/L et λ et voyez les courbes ID–VDS et le point de fonctionnement : régime, ID, gm et roCalculateur de température de jonction et de résistance thermiqueTempérature de jonction, marge jusqu’à Tj(max) et puissance maximale d’après la puissance dissipée et la résistance thermiqueCalculateur de bande passante mémoireBande passante crête et effective de DDR, LPDDR, GDDR et HBM d’après le débit de transfert et la largeur de busSNR et nombre effectif de bits (ENOB) d’un ADCSNR et nombre effectif de bits d’un ADC d’après la résolution, la gigue d’horloge et le suréchantillonnageLoi d’Amdahl et accélération parallèleFacteur d’accélération et efficacité parallèle d’après la fraction parallèle et le nombre de processeurs, selon les lois d’Amdahl et de GustafsonDécoupage d’adresse d’un cache et temps d’accès mémoire moyenBits d’étiquette, d’index et d’offset et temps d’accès mémoire moyen d’après la taille du cache, la taille de ligne et l’associativitéConsommation d’un circuit CMOS (dynamique et statique)Consommation dynamique et statique d’après le facteur d’activité, la capacité, la tension, la fréquence et la fuite, et puissance après DVFSPotentiel de diffusion et largeur de la zone de déplétion d’une jonction PNPotentiel de diffusion, largeur de la zone de déplétion, champ maximal et capacité d’une jonction PN d’après le dopage et la polarisation inverseÉpaisseur d’oxyde thermique (modèle de Deal-Grove)Épaisseur d’oxyde de silicium et silicium consommé d’après la température, la durée, l’atmosphère sèche ou humide et l’orientation, avec le modèle de Deal-Grove