Procédé typique des MEMS consistant à éliminer par gravure une couche temporaire (couche sacrificielle) placée sous une structure, afin de libérer des poutres ou membranes mobiles.
Nom japonais: 犠牲層エッチング
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Domaine: MEMS et capteurs
Réponse : C. Retirer la couche située sous la structure afin de libérer la partie mobile du substrat
La gravure de couche sacrificielle consiste à déposer le film structurel (polysilicium, etc.) sur une couche destinée à être retirée (couche sacrificielle, par exemple SiO2), puis à éliminer sélectivement par gravure uniquement la couche sacrificielle. On obtient ainsi des structures mobiles, poutres ou membranes, suspendues à quelques µm du substrat. L’épaisseur de la couche sacrificielle détermine la taille de l’entrefer, et de petits trous sont généralement percés dans la structure pour que l’agent de gravure puisse l’atteindre.
La gravure de couche sacrificielle consiste à déposer le film structurel (polysilicium, etc.) sur une couche destinée à être retirée (couche sacrificielle, par exemple SiO2), puis à éliminer sélectivement par gravure uniquement la couche sacrificielle.
Quel est le but de la gravure de couche sacrificielle utili…MEMS Accéléromètre Capteur à effet Hall Détection capacitive Effet piézorésistif Force de Coriolis Gyroscope Procédé Bosch (Deep RIE) Soudure anodique Stiction (adhérence)