Opération qui lit puis réécrit périodiquement les données d'une DRAM avant que la charge des condensateurs ne soit perdue par fuite.
Nom japonais: リフレッシュ
« Rafraîchissement (refresh) » apparaît dans 21 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont DRAM, SRAM et mémoire flash, Gestion de l'énergie.
Domaine: DRAM
Réponse : C. Parce que la charge stockée dans le condensateur se perd progressivement par courant de fuite
La charge du condensateur se perd peu à peu par fuite sous le seuil et fuite de jonction du transistor de cellule. Le rafraîchissement lit et réécrit les données avant qu'elles ne deviennent indiscernables ; selon la norme, toutes les rangées sont normalement parcourues en 64 ms. Pendant le rafraîchissement, la banque concernée est inaccessible et de l'énergie est consommée ; la charge augmente avec la capacité. La limite du nombre d'écritures est une caractéristique de la mémoire flash.
Réponse : A. Le nombre de rangées à rafraîchir augmente et la part du temps et de l'énergie consacrés au rafraîchissement croît
Avec l'augmentation de la capacité, davantage de cellules doivent être rafraîchies dans les mêmes 64 ms, et la durée d'un rafraîchissement (tRFC) s'allonge. L'accès étant impossible pendant ce temps, quelques % à environ 10 % des performances peuvent être perdus pour la classe 16 Gbit, et la consommation augmente. Comme atténuation, on étudie le rafraîchissement séparé par banque, qui laisse les autres banques utilisables, ou la réduction du rafraîchissement des rangées à longue rétention.
Le rafraîchissement lit et réécrit les données avant qu'elles ne deviennent indiscernables ; selon la norme, toutes les rangées sont normalement parcourues en 64 ms.
Pourquoi une opération de rafraîchissement périodique est-e…Avec l'augmentation de la capacité, davantage de cellules doivent être rafraîchies dans les mêmes 64 ms, et la durée d'un rafraîchissement (tRFC) s'allonge.
À mesure que la capacité des DRAM augmente, quel problème l…Pour ne pas perdre de données, il faut rafraîchir plus souvent ; de nombreuses normes divisent par deux l'intervalle de rafraîchissement dans la plage haute température.
Lorsqu'on utilise une DRAM à haute température, il peut êtr…Cette réécriture équivalant en pratique à un rafraîchissement, celui-ci s'effectue par l'activation puis la fermeture d'une rangée.
Quelle caractéristique de l'opération de lecture d'une DRAM…Le besoin de rafraîchissement même sous tension la distingue de la SRAM, également volatile.
Quelle propriété de la DRAM est correcte ?Attaque par démarrage à froid (cold boot) Auto-rafraîchissement (self-refresh) ECC (code correcteur d'erreurs) Ligne de bit Amplificateur de lecture (sense amplifier) Cellule 1T1C LPDDR GIDL (fuite de drain induite par la grille) Via Cellule SRAM 6T