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DRAM

Quels sont les principaux chemins de fuite qui déterminent la durée de rétention des données d'une cellule DRAM ?

  1. ALa fuite sous le seuil et la fuite de jonction du transistor de cellule
  2. BLa génération de charges par la lumière
  3. CLe déplacement de charges par un champ magnétique
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Réponse : A. La fuite sous le seuil et la fuite de jonction du transistor de cellule

La charge du condensateur se perd principalement par la fuite sous le seuil du transistor de cellule bloqué et par la fuite traversant la jonction du nœud de stockage (y compris le GIDL et le courant de génération via les défauts). La durée de rétention varie d'une cellule à l'autre, et une petite fraction de cellules faibles (la queue de distribution) fixe la période de rafraîchissement. Il est donc essentiel de limiter la fuite des cellules les plus faibles, par exemple en atténuant le champ électrique grâce à la grille enterrée ou en réduisant les défauts.

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