Lorsqu'on utilise une DRAM à haute température, il peut être nécessaire de raccourcir l'intervalle de rafraîchissement. Quelle association entre la raison et l'effet sur la puissance est correcte ?

Réponse : C. À haute température, le courant de fuite des cellules augmente et la charge se perd plus vite : le nombre de rafraîchissements et la puissance augmentent

Une cellule DRAM conserve l'information sous forme de charge dans un condensateur, mais le courant de fuite augmente avec la température et la charge s'échappe plus vite. Pour ne pas perdre de données, il faut rafraîchir plus souvent ; de nombreuses normes divisent par deux l'intervalle de rafraîchissement dans la plage haute température. La puissance de rafraîchissement augmente d'autant, ainsi que le temps d'inaccessibilité pendant les rafraîchissements : le refroidissement influe donc aussi sur la puissance et les performances de la DRAM.