Bewerking waarbij de data van DRAM periodiek worden uitgelezen en teruggeschreven voordat de lading van de condensatoren door lekkage verloren gaat.
Japanse benaming: リフレッシュ
“Refresh” komt voor in 10 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. DRAM.
Vakgebied: DRAM
Antwoord: C. Omdat de in de condensator opgeslagen lading door lekstroom geleidelijk verloren gaat
De lading van de condensator gaat langzaam verloren door subthreshold-lekstroom en junctielekstroom van de celtransistor. Bij een refresh worden de gegevens gelezen en teruggeschreven voordat ze niet meer te onderscheiden zijn; volgens de specificatie doorloopt men gewoonlijk alle rijen binnen 64 ms. Tijdens de refresh is de betreffende bank niet toegankelijk en wordt vermogen verbruikt, zodat de belasting toeneemt naarmate de capaciteit groter wordt. Een bovengrens aan het aantal schrijfbewerkingen is een kenmerk van flashgeheugen.
Antwoord: A. Er moeten meer rijen worden ververst, zodat het aandeel van tijd en vermogen dat aan refresh wordt besteed groter wordt
Naarmate de capaciteit toeneemt, moeten in dezelfde 64 ms meer cellen worden ververst en wordt de tijd van één refresh (tRFC) langer. Omdat gedurende die tijd geen toegang mogelijk is, gaat bij 16 Gbit enkele procenten tot circa 10 % van de prestaties verloren en neemt ook het vermogensverbruik toe. Als oplossing wordt onderzoek gedaan naar methoden waarbij per bank afzonderlijk wordt ververst zodat andere banken kunnen worden gebruikt, en naar minder refresh van rijen met een lange bewaartijd.
Bij een refresh worden de gegevens gelezen en teruggeschreven voordat ze niet meer te onderscheiden zijn; volgens de specificatie doorloopt men gewoonlijk alle rijen binnen 64 ms.
Waarom is bij DRAM periodiek verversen (refresh) nodig?Naarmate de capaciteit toeneemt, moeten in dezelfde 64 ms meer cellen worden ververst en wordt de tijd van één refresh (tRFC) langer.
Welk probleem ten aanzien van refresh doet zich gemakkelijk…Dit terugschrijven werkt in feite als refresh, zodat refresh wordt uitgevoerd door een rij te activeren en weer te sluiten.
Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?Het verschil met het eveneens vluchtige SRAM is dat ook bij ingeschakelde voeding refresh nodig is.
Welke eigenschap van DRAM is juist?Daarom halveert de DDR-norm het refresh-interval in het gebied boven 85 °C, en er bestaan ook mechanismen die de refreshfrequentie aanpassen aan de waarde van de temperatuursensor van het DRAM.
Wat gebeurt er gewoonlijk met de tijd dat DRAM-cellen gegev…Bank Bitlijn Leesversterker (sense amplifier) Numerieke apertuur (NA) Cold-bootaanval 1T1C-cel CAS-latency DDR SDRAM DIMM ECC (foutcorrigerende code)