Abréviation de Drain Induced Barrier Lowering. Dans un MOSFET à canal court, plus la tension de drain est élevée, plus la barrière de potentiel côté source s'abaisse et plus la tension de seuil diminue. Augmente le courant de fuite à l'état bloqué.
Nom japonais: DIBL
« DIBL » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Transistors avancés (FinFET et GAA), MOSFET.
Domaine: MOSFET
Réponse : C. L'abaissement de la barrière de potentiel côté source, et donc de la tension de seuil, lorsque la tension de drain augmente
Lorsque la grille est courte, le champ électrique du drain s'étend jusqu'à proximité de la source et abaisse la barrière de potentiel entre la source et le canal. En conséquence, plus la tension de drain est élevée, plus la tension de seuil baisse et plus le courant de fuite à l'état bloqué augmente. Le DIBL s'exprime en « variation de seuil par volt de tension de drain (mV/V) » et est limité à quelques dizaines de mV/V ou moins dans les transistors avancés. Dans les amplificateurs, il réduit aussi la résistance de sortie.
Le DIBL s'exprime en « variation de seuil par volt de tension de drain (mV/V) » et est limité à quelques dizaines de mV/V ou moins dans les transistors avancés.
Quelle est la définition du DIBL (Drain Induced Barrier Low…Le DIBL est la baisse du seuil due à la tension de drain, le NBTI une dégradation du pMOS.
Quel phénomène augmente le courant de fuite à l’état bloqué…Il en résulte une baisse de la tension de seuil (roll-off), un abaissement du seuil par la tension de drain (DIBL), une dégradation de la pente sous le seuil et une hausse du courant de fuite à l'état bloqué.
Lequel des énoncés suivants correspond à un effet de canal …Tension de seuil GIDL (fuite de drain induite par la grille) NBTI Effet de canal court Pente sous le seuil (subthreshold swing) CMOS Couche d'inversion Courant de court-circuit transitoire Effet de substrat Modulation de longueur de canal