Phénomène dans un MOSFET en saturation : en augmentant la tension de drain, le point de pincement se déplace vers la source, la longueur de canal effective diminue et le courant de drain augmente légèrement. Il rend la résistance de sortie finie.
Nom japonais: チャネル長変調
« Modulation de longueur de canal » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont MOSFET.
Domaine: MOSFET
Réponse : A. ro ≈ 1 / (λ × ID)
En tenant compte de la modulation de longueur de canal, le courant de drain en saturation augmente légèrement avec VDS sous la forme ID(1 + λVDS), et l’inverse de cette pente est la résistance de sortie ro ≈ 1/(λID). λ étant à peu près inversement proportionnel à la longueur du canal, doubler L double environ ro. Le gain en tension maximal d’un transistor seul vaut gm·ro, qui n’atteint qu’environ 10 à 20 pour les transistors fins ; on obtient donc le gain par des montages cascode ou multi-étages.
En tenant compte de la modulation de longueur de canal, le courant de drain en saturation augmente légèrement avec VDS sous la forme ID(1 + λVDS), et l’inverse de cette pente est la résistance de sortie ro ≈ 1/(λID).
Quelle expression donne correctement la résistance de sorti…C’est la modulation de longueur de canal, exprimée par ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²(1 + λVDS), qui fixe la résistance de sortie ro ≈ 1/(λID).
Comment s’appelle le phénomène par lequel, dans un MOSFET e…CMOS Couche d'inversion Courant de court-circuit transitoire DIBL Effet de canal court Effet de substrat GIDL (fuite de drain induite par la grille) Pente sous le seuil (subthreshold swing) Perçage (punch-through) Porte de transmission