Abkürzung für Drain-Induced Barrier Lowering (drainbedingte Barrierenabsenkung). Bei Kurzkanal-MOSFETs senkt eine höhere Drainspannung die Potenzialbarriere an der Source, was die Schwellenspannung verringert und den Sperrstrom erhöht.
Japanische Bezeichnung: DIBL
Fachgebiet: MOSFET
CMOS Einsatzspannung (Schwellenspannung) Flachbandspannung (flat-band voltage) Geschwindigkeitssättigung (velocity saturation) GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage) Inversionsschicht Kanallängenmodulation (channel-length modulation) Kurzkanaleffekt LDD-Struktur (LDD structure) Punch-Through