Quel phénomène augmente le courant de fuite à l’état bloqué par un courant tunnel bande à bande dû au fort champ électrique dans la zone de recouvrement grille-drain ?

Réponse : C. GIDL (fuite de drain induite par la grille)

Même transistor bloqué, si une forte tension existe entre grille et drain, les bandes se courbent fortement près du bord de grille côté drain et un courant circule par effet tunnel bande à bande. C’est le GIDL, qui a pour caractéristique d’augmenter lorsque la tension de grille devient plus négative. Il pose problème dans les dispositifs exigeant des fuites extrêmement faibles, comme les transistors de cellule DRAM, et se limite par la conception du dopage et du champ à l’extrémité drain. Le DIBL est la baisse du seuil due à la tension de drain, le NBTI une dégradation du pMOS.