Welcher Grund dafür, dass an Siliziumwafer hohe Anforderungen an die Ebenheit gestellt werden, ist richtig?

Antwort: B. Weil bei der Belichtung das gesamte Muster innerhalb der Schärfentiefe liegen muss

Je feiner das belichtete Muster, desto geringer die Schärfentiefe, die bei fortschrittlicher Belichtung nur etwa 100 nm beträgt. Schon geringe Unebenheiten der Waferoberfläche verschieben den Fokus und verwischen das Muster. Daher wird die lokale Ebenheit (SFQR) je Belichtungsfeld (z. B. Shot von 26×33 mm) auf einige zehn nm oder weniger gehalten. Zwar misst auch die Belichtungsanlage die Höhe je Shot und stellt den Fokus ein, doch die Ebenheit des Wafers selbst ist Voraussetzung.