Siliziumwafer
Welches ist das typische Herstellungsverfahren für hochreines polykristallines Silizium?
- ABosch-Verfahren
- BSiemens-Verfahren (Abscheidung durch Wasserstoffreduktion von Trichlorsilan)
- CDamascene-Verfahren
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Antwort: B. Siemens-Verfahren (Abscheidung durch Wasserstoffreduktion von Trichlorsilan)
Beim Siemens-Verfahren wird metallurgisches Silizium mit etwa 98 % Reinheit mit Chlorwasserstoff zu Trichlorsilan (SiHCl3, Siedepunkt etwa 32 °C) umgesetzt, durch Destillation hochgereinigt und dann auf einem auf etwa 1100 °C erhitzten Siliziumstab mit Wasserstoff zur Reaktion gebracht, sodass hochreines Silizium abgeschieden wird. So entsteht polykristallines Silizium mit 11N-Reinheit (99.999999999 %), das als Rohstoff z. B. für das CZ-Verfahren dient. Der Prozess verbraucht viel Strom.