Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Hoe heet de structuur in 3D-NAND waarvan de uiteinden trapsgewijs zijn bewerkt om de wordlijnen van elke gestapelde laag te kunnen verbinden?

  1. ATrapstructuur (staircase)
  2. BDamascene-structuur
  3. CTrenchstructuur
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Trapstructuur (staircase)

Omdat in 3D-NAND honderden geleidende lagen die wordlijnen vormen op elkaar zijn gestapeld, wordt de rand van de array trapsgewijs bewerkt zodat het bovenvlak van elke laag vrijkomt, en daar worden contacten geplaatst. De trap wordt gemaakt door herhaaldelijk te etsen terwijl de resist geleidelijk wordt teruggetrokken, dus naarmate het aantal lagen toeneemt, wordt het proces langer en groeit ook het oppervlak van de trap. Daarom wordt het oppervlak beperkt door de trap in meerdere kolommen te verdelen of ook in een andere richting treden aan te brengen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is het belangrijkste voordeel van de structuur in 3D-NAND waarbij perifere schakelingen zoals sense-versterkers onder de geheugencelarray worden geplaatst (zoals CMOS under Array)?
  2. Wat is de juiste opbouw van een gebruikelijke SRAM-cel met zes transistors?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van NAND-flashgeheugen ten opzichte van NOR is juist?
  4. Hoe heet de methode waarbij in flashgeheugen 3 bits aan informatie in één geheugencel worden opgeslagen?
  5. Wat is het juiste principe van schrijven en wissen van gegevens in flashgeheugen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp