SRAM과 플래시 메모리

NAND 플래시에서 같은 블록을 여러 번 읽는 동안, 읽지 않은 셀의 문턱 전압이 조금씩 변해 버리는 현상을 무엇이라고 부릅니까?

  1. A웨어 레벨링
  2. B리드 디스터브
  3. C가비지 컬렉션
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정답: B. 리드 디스터브

NAND 읽기에서는 선택하지 않은 셀에도 수 V의 패스 전압을 걸어 도통시키기 때문에, 반복해서 읽는 동안 아주 약간 전자가 주입되어 문턱 전압이 올라갑니다. 이것이 리드 디스터브로, 수만~수십만 번의 읽기에서 문제가 됩니다. 읽기 빈도가 높은 데이터가 모인 블록에서 일어나기 쉬우며, 컨트롤러는 읽기 횟수를 세어 상한에 가까워지면 데이터를 다른 블록에 다시 씁니다.

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