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Oxydation et diffusion

Quelle est la relation entre le coefficient de diffusion des dopants dans le silicium et la température ?

  1. AIl est indépendant de la température
  2. BIl diminue lorsque la température augmente
  3. CIl augmente exponentiellement lorsque la température augmente
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Réponse : C. Il augmente exponentiellement lorsque la température augmente

Le coefficient de diffusion suit une loi d’Arrhenius, D = D0·exp(−Ea/kT), avec une énergie d’activation Ea d’environ 3.5 eV pour le bore ou le phosphore dans le silicium. Une élévation de 100 ℃ multiplie donc le coefficient de diffusion par environ un ordre de grandeur, et un faible écart de température change fortement la profondeur de diffusion. Les étapes de diffusion et de traitement thermique contrôlent la température à ±1 ℃ près ou mieux, et les procédés avancés réduisent au maximum la durée d’exposition aux hautes températures pour préserver les jonctions peu profondes.

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