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Métrologie et analyse

Quelle méthode spectroscopique est couramment utilisée pour évaluer localement et de façon non destructive la contrainte (déformation) du silicium ?

  1. ASpectroscopie Raman
  2. BMéthode des quatre pointes
  3. CMesure C-V
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Réponse : A. Spectroscopie Raman

La spectroscopie Raman mesure la lumière diffusée dont la longueur d’onde est légèrement décalée par interaction avec les vibrations du réseau (diffusion Raman) sous éclairage laser. Le pic du silicium non contraint se situe vers 520 cm⁻¹ ; il se décale vers le haut sous compression et vers le bas sous traction, d’environ 1 cm⁻¹ pour 500 MPa. Le laser pouvant être focalisé à environ 1 µm, on évalue localement et de façon non destructive la déformation du canal ou la contrainte dans le boîtier.

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