Welche spektroskopische Methode wird häufig zur lokalen zerstörungsfreien Bewertung der in Silizium wirkenden Spannung (Verzerrung) verwendet?

Antwort: A. Raman-Spektroskopie

Die Raman-Spektroskopie misst Streulicht (Raman-Streuung), dessen Wellenlänge durch Wechselwirkung mit Gitterschwingungen bei Laserbestrahlung leicht verschoben ist. Der Peak von spannungsfreiem Silizium liegt bei etwa 520 cm⁻¹, verschiebt sich bei Druckspannung zu höheren und bei Zugspannung zu niedrigeren Werten, und zwar um etwa 1 cm⁻¹ je 500 MPa. Da sich der Laser auf etwa 1 µm bündeln lässt, können Kanalverspannung und Gehäusespannung lokal und zerstörungsfrei bewertet werden.