Pourquoi les défauts enfouis à l'intérieur du multicouche posent-ils problème dans les masques EUV ?

Réponse : B. Parce que la phase et l'intensité de la lumière réfléchie sont perturbées, ce qui se transfère sous forme de défauts de motif sur le wafer

Si des irrégularités ou des particules de quelques nm se trouvent dans ou sous le multicouche d'un masque EUV, l'empilement de dizaines de couches au-dessus est perturbé, et la phase et l'intensité de la lumière réfléchie changent. Même une perturbation de hauteur de quelques nm se transfère sur le wafer sous forme de défaut. Ces défauts étant difficiles à détecter depuis la surface, des équipements d'inspection dédiés utilisant la lumière EUV (inspection actinique) ont été développés, et l'on décale aussi la disposition des motifs d'absorbeur pour éviter les positions des défauts.